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PECVD silicon carbide surface micromachining technology and selected MEMS applications

机译:PECVD碳化硅表面微加工技术和某些MEMS应用

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摘要

Attractive material properties of plasma enhanced chemical vapour deposited (PECVD) silicon carbide (SiC) when combined with CMOS-compatible low thermal budget processing provides an ideal technology platform for developing various microelectromechanical systems (MEMS) devices and merging them with integrated circuits. In this paper we present a generic surface micromachining technology developed using a stressoptimised PECVD SiC as the structural and encapsulation material for MEMS. An overview of selected MEMS applications realised, at DIMES Technology Center (DTC) of TU Delft, using the PECVD SiC surface micromachining technology is provided. Presented MEMS examples include—a pressure sensor, wafer-level thin-film packaging, RF switch and accelerometers. Potential applications for the presented technology include automotive, industrial and medical systems, where devices are often subjected to harsh environments.
机译:等离子增强化学气相沉积(PECVD)碳化硅(SiC)与CMOS兼容的低热预算工艺相结合的有吸引力的材料性能,为开发各种微机电系统(MEMS)器件并将其与集成电路融合提供了理想的技术平台。在本文中,我们介绍了使用应力优化的PECVD SiC作为MEMS的结构和封装材料开发的通用表面微加工技术。提供了使用PECVD SiC表面微加工技术在TU Delft的DIMES技术中心(DTC)实现的选定MEMS应用的概述。演示的MEMS示例包括-压力传感器,晶圆级薄膜封装,RF开关和加速度计。所提出技术的潜在应用包括汽车,工业和医疗系统,其中设备经常遭受恶劣的环境。

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